低加速FE-SEM/ESBによるアルミ磁気ディスク基板表面汚染の観察

摘要

アルミ磁気ディスク基板表面の洗浄ジミなどの最表面の薄い汚染層を観察するには、200～300Vといった超低加速で観察することが必要である。 10～20kVといった高加速電圧はもとより、2～3kVといったいわゆる低加速電圧で観察しても電子線は汚染層を突き抜けてしまい、汚染層を観察することはできない。 要は加速電圧を300V程度に下げ、二次電子あるいはhigh-angle BSEの発生領域を最表面付近に限定することが重要である。 さらに、有機系の界面活性剤などによる洗浄ジミを鮮明に観察するためには、二次電子像観察では不十分で、弾性後方散乱電子（high-angle BSE）を用いて結像させ、Zコントラストのみからなる像を取得することが特に重要である。 今回はじめて観察された洗浄ジミは、Cr下地層、Co-Ni-Cr磁性層、さらにDLC保護膜などをスパッタ成膜する際に、Cr層と素地基板との密着性を局所的に低下させる。したがって、スパッタ膜の応力やスパッタ時の温度上昇などが引き金にかり、こうした所にブリスターが形成されやすいことは容易に予測できよう。 洗浄ジミの密度はかなり高いので、その除去は今後の重要な課題ではかいかと思う。 最後に、本稿がアルミ磁気ディスク基板表面の汚染状態の迅速な観察と評価法の確立に寄与するところがあれば幸いである。