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机译:在具有SiCl4 / SF6等离子体的AlxGa1-XP存在下,高度选择性干蚀刻间隙
IBM Res Zurich Saumerstr 4 CH-8803 Ruschlikon Switzerland;
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gallium phosphide; aluminum gallium phosphide; selective etching; inductively-coupled-plasma reactive ion etching;
机译:在具有SiCl4 / SF6等离子体的AlxGa1-XP存在下,高度选择性干蚀刻间隙
机译:电感耦合等离子体中GaAs上InGaP的选择性干蚀刻
机译:InGaP在电感耦合等离子体中的GaAs上的选择性干蚀刻
机译:通过在CH / sub 4 // H / sub 2 // O / sub 2 /等离子中进行高度选择性的干法蚀刻制成的InGaAlAs / InP脊形波导激光器
机译:用于高选择性和各向异性蚀刻的下游和直血浆系统的建模
机译:SF6优化的对二甲苯C的O2等离子体蚀刻
机译:Gap的高选择性干法刻蚀 人$ _ \ TEXTRm {X} $嘎$ _ {1- \ TEXTRm {X}} $ p