机译:GE / A-GEO2接口的定向依赖性结构和电子特性:第一原理研究
Korea Inst Sci &
Technol Ctr Elect Mat Seoul 02792 South Korea;
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Technol Ctr Elect Mat Seoul 02792 South Korea;
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Technol Ctr Elect Mat Seoul 02792 South Korea;
Seoul Natl Univ Dept Mat Sci &
Engn Seoul 08826 South Korea;
Korea Inst Sci &
Technol Ctr Elect Mat Seoul 02792 South Korea;
Ge/a-GeO2 interface layer; Ge orientation dependence; structural properties; electronic properties; first-principle study;
机译:GE / A-GEO2接口的定向依赖性结构和电子特性:第一原理研究
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