机译:石墨烯/ MOS2接口结构和电子性质的第一原理研究
机译:正常压缩应变诱导的多层MOS2和石墨烯/ MOS2异质结构的电子和力学性能调制:第一原理研究
机译:石墨烯/ MoS_2界面的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:卤素取代石墨烯的电子和结构性质的第一原理研究
机译:一种第一原理研究MOS2纳米催化剂加氢钠的结构和催化性能
机译:单轴拉伸应变下具有S空位的单层MoS2的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:石墨烯/ 6H-siC(0001̅)界面的电子特性:第一性原理研究