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机译:2D在MOSFET纳米器件的积累和反转层中的FERMI水平的有效电子质量
Natl Inst Technol Manipur Dept Elect &
Commun Engn Imphal 795001 Manipur India;
Natl Inst Technol Manipur Dept Comp Sci &
Engn Imphal 795001 Manipur India;
Univ Engn &
Management Dept Elect &
Commun Engn New Town Kolkata 700156 W Bengal India;
Accumulation Layers; Inversion Layers; Nano MOSFET Devices; Scattering Potential;
机译:2D在MOSFET纳米器件的积累和反转层中的FERMI水平的有效电子质量
机译:超薄氧化硅MOSFET反转层中的电子有效质量
机译:二维(2D)Si反转层中的有效自旋磁化率,电子质量和Lande因子
机译:在包括厚度依赖性有效质量的纳米电子器件的2D MS-EMC中的S / D隧道中的高效实现
机译:对高级碳化硅功率MOSFET的反型层中电子传输的研究。
机译:二维MS-EMC纳米器件模拟器中S / D隧穿模型的量子增强:NEGF比较和有效质量变化的影响
机译:评“移动电源的低密度自旋敏感性和有效质量” si反转层中的电子“
机译:III-V族化合物中量子化反转和积累层中电子的迁移。