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机译:信道工程对双栅MOSFET准静态电容电压特性的影响
Kurukshetra Univ Dept Elect Sci Kurukshetra 136119 Haryana India;
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Kurukshetra Univ Dept Elect Sci Kurukshetra 136119 Haryana India;
Double-gate MOSFET; gate-to-gate capacitance; QSCV characteristics; threshold voltage; flat-band voltage;
机译:信道工程对双栅MOSFET准静态电容电压特性的影响
机译:局部栅叠层寄生电荷对具有高介电常数和Ge通道的双栅MOSFET电流-电压特性的影响
机译:金属栅电极,通道和栅极氧化物工程,提高双栅MOSFET的DC和模拟/ RF性能,用于高速应用
机译:使用对称掺杂的双栅极模型对带有双栅极渐变通道MOSFET的OTA进行仿真
机译:在存在栅极隧道效应的情况下,硅MOSFET的电容电压特性。
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:具有高移动通道的15nm栅极长度双栅极N-MOSFET的性能评估:III-V,GE和SI
机译:mNOs器件的准静态电容 - 电压特性。