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机译:金属触点对基于GaN / Sapphire的MSM紫外光探测器的影响
CSIR NPL Advance Mat &
Devices Div New Delhi 110012 India;
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CSIR NPL Advance Mat &
Devices Div New Delhi 110012 India;
CSIR NPL Quantum Phenomena &
Applicat New Delhi 110012 India;
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Devices Div New Delhi 110012 India;
CSIR NPL Quantum Phenomena &
Applicat New Delhi 110012 India;
Univ Delhi Dept Phys &
Astrophys New Delhi 110021 India;
CSIR NPL Advance Mat &
Devices Div New Delhi 110012 India;
GaN; ultraviolet photodetector; metal-semiconductor-metal structure;
机译:金属触点对基于GaN / Sapphire的MSM紫外光探测器的影响
机译:紫外金属-半导体-金属(MSM)光电探测器在多孔GaN上的Pd肖特基接触研究
机译:通过氧化物缓冲异质结构在Si上的紫外GaN光电探测器,具有集成的基于氧化物的短周期分布式布拉格反射器和抑制泄漏的金属氧化物半导体触点
机译:石墨烯增强氮化镓(GaN)金属半导体金属(MSM)紫外线光电探测器的辐照效应
机译:SERS和金属半导体金属光电探测器(MSM-PDs)应用中的周期性等离子光栅中的光学增强
机译:具有逐步梯度AlxGa1-xN缓冲层的GaN MSM UV光电探测器的选择性增强的UV-A光响应性
机译:通过插入超薄界面HfO2层来增强GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的性能