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机译:通过应变工程调整MOS2单层的电子特性,有效质量和载流动性:第一原理计算
Duy Tan Univ Inst Res &
Dev Da Nang 550000 Vietnam;
Duy Tan Univ Inst Res &
Dev Da Nang 550000 Vietnam;
Hue Univ Univ Educ Dept Phys Hue 530000 Vietnam;
Univ Da Nang Univ Educ Dept Phys Da Nang 550000 Vietnam;
Le Quy Don Tech Univ Dept Chem Engn Hanoi 100000 Vietnam;
Le Quy Don Tech Univ Dept Mat Sci &
Engn Hanoi 100000 Vietnam;
Don State Tech Univ Dept Phys Rostov Na Donu 344000 Russia;
Belarusian State Univ Dept Phys Minsk 220030 Byelarus;
Le Quy Don Tech Univ Dept Mat Sci &
Engn Hanoi 100000 Vietnam;
MoS2 monolayer; band gap; strain engineering; mobility; DFT calculations;
机译:通过应变工程调整MOS2单层的电子特性,有效质量和载流动性:第一原理计算
机译:CVD生长过程中应变工程载体移动性调整MOS2
机译:双轴应变和外部电场对MoS2单层电子性能的影响:第一性原理研究
机译:具有更高载流动性的化学调谐的P-和N型WSE_2单层,用于高级电子产品
机译:能源应用材料的电子,光学和传输性质的第一性原理计算。
机译:单轴拉伸应变下具有S空位的单层MoS2的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:通过引入缺陷调整单层PDSE2的电子和光学性质:第一原理计算