机译:通过应变工程调整MOS2单层的电子特性,有效质量和载流动性:第一原理计算
机译:通过点缺陷和外部领域调整锑烯纳米片的电子和磁性:第一原理计算
机译:MNPX3(X = S,SE)单层的电子,磁性和光学性质,具有和不含硫致原缺损:第一原理研究
机译:Sn掺杂六角BN单层的电子和光学性质:第一性原理研究
机译:能源应用材料的电子,光学和传输性质的第一性原理计算。
机译:掺杂钇的ZnO单层空位的电子结构和光学性质的第一性原理计算
机译:通过点缺陷和外部领域调整锑烯纳米片的电子和磁性:第一原理计算
机译:半导体和绝缘子中顺磁性缺陷电子g-张量元的第一性原理和计算