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机译:通过Monte Carlo方法研究InAs0.3p0.7的电子传输性能。
Univ Abou Bekr Belkaid Tlemcen Fac Technol Dept Elect &
Elect Engn Lab Mat &
Renewable Energies BR 119-13000 Tilimsen Algeria;
Univ Abou Bekr Belkaid Tlemcen Fac Technol Dept Elect &
Elect Engn Lab Mat &
Renewable Energies BR 119-13000 Tilimsen Algeria;
Ctr Univ Ain Temouchent Inst Sci &
Technol Dept Elect Engn Intelligent Struct Lab BR 284-46000 Ain Temouchent Algeria;
InAs0.3P0.7; InP; MC (Monte Carlo) method; charge carrier energy and drift velocity; scattering mechanisms; substrate;
机译:通过Monte Carlo方法研究InAs0.3p0.7的电子传输性能。
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