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机译:3.3kV SIC MOSFET体二极管堆垛机膨胀速度的建模与评价
Hitachi Ltd Res &
Dev Grp 1-280 Higashi Koigakubo Kokubunji Tokyo 1858601 Japan;
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Dev Grp 1-280 Higashi Koigakubo Kokubunji Tokyo 1858601 Japan;
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SiC; MOSFET; basal plane dislocation (BPD); stacking fault (SF); forward voltage degradation;
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