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机译:具有结构演化的Sn掺杂Ge2sb2te5薄膜的增强光学性能
Univ Sci &
Technol Beijing Sch Mat Sci &
Engn Beijing 100083 Peoples R China;
Univ Sci &
Technol Beijing Sch Mat Sci &
Engn Beijing 100083 Peoples R China;
Phase change materials; Ge2Sb2Te5 thin films; Texture; Optical reflectivity;
机译:具有结构演化的Sn掺杂Ge2sb2te5薄膜的增强光学性能
机译:引入结构紊乱增强立方晶Ge2Sb2Te5薄膜的热电性能
机译:生长和真空后退火对Sn-掺杂IN_2O_3薄膜的结构,电气和光学性质的影响
机译:激光诱导的结构,电气和光学特性的相变Ge2sb2te5薄膜
机译:分子束外延在硅上生长的锗薄膜的形态演化与光学性质
机译:纳秒紫外光脉冲诱导的Ge2Sb2Te5相变存储薄膜的结构转变
机译:有机太阳能电池(OSC)感兴趣的Sn掺杂的氧化锌透明膜的结构,光学和电学性质