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机译:具有用于非易失性存储器应用的大可缩放的石墨烯氧化膜,具有电阻开关
Helmholtz Zentrum Berlin Mat &
Energie Albert Einstein Str 15 D-12489 Berlin Germany;
Moscow MV Lomonosov State Univ Dept Chem Moscow 119991 Russia;
Russian Acad Sci Inst Microelect Technol &
High Pur Mat Acad Ossipyan Str 6 Chernogolovka 142432 Russia;
Russian Acad Sci Inst Microelect Technol &
High Pur Mat Acad Ossipyan Str 6 Chernogolovka 142432 Russia;
Russian Acad Sci Inst Microelect Technol &
High Pur Mat Acad Ossipyan Str 6 Chernogolovka 142432 Russia;
Russian Acad Sci Inst Microelect Technol &
High Pur Mat Acad Ossipyan Str 6 Chernogolovka 142432 Russia;
Graphene oxide; Resistive switching; Memristor; Non-volatile memory; Core-level spectroscopy;
机译:具有用于非易失性存储器应用的大可缩放的石墨烯氧化膜,具有电阻开关
机译:用于非易失性存储器应用的钐氧化物固体电解质薄膜的双极电阻切换特性
机译:在氧化石墨烯薄膜中形成自由电阻开关,用于热稳定的非易失性存储应用
机译:基于石墨烯的金属绝缘体金属结构双极电阻切换,用于非易失性存储器应用
机译:钙钛矿氧化物薄膜作为电阻切换非易失性存储器
机译:原子层沉积的Al2O3 / HfO2 / Al2O3三层结构在非易失性存储应用中具有出色的电阻切换特性
机译:非易失性存储应用中氧化镍薄膜的电铸和电阻转换行为研究
机译:用于非易失性存储器应用的srBi(sub 2)Ta(sub 2)O(sub 9)(sBT)薄膜的化学溶液沉积