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机译:通过将原位闪光退火的整合到低温原子层沉积,通过增强膜密度的氧化铝薄膜的生长
Tech Univ Dresden Inst Semiconduct &
Microsyst D-01062 Dresden Germany;
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Aluminum oxide (Al2O3); Atomic layer deposition (ALD); Low-temperature deposition; Flash lamp annealing (FLA); Enhanced film density; Enhanced film growth;
机译:通过将原位闪光退火的整合到低温原子层沉积,通过增强膜密度的氧化铝薄膜的生长
机译:通过逐层原位原子层退火技术对AlN超薄膜进行低温原子层外延
机译:通过等离子体增强原子层沉积,具有均匀氮气掺杂谱的Heal-Moxion薄膜的低温一步生长
机译:原子层沉积(有和没有后退火)制备的氧化锆,氧化HA和氧化HA氧化锆(HZO)超薄膜的铁电性和结晶性
机译:反馈控制的整合和运行控制对氧化铪薄膜的等离子体增强的原子层沉积
机译:逐层原位原子层退火法制备AlN超薄膜的低温原子层外延
机译:通过层,原位原子层退火的低温原子层对AlN超薄膜的外延
机译:二元和三元氧化物薄膜原子层外延低温沉积过程的研究