机译:拓扑绝缘体中的应变效应:SB2TE3 / BI2TE3异质结中可切换拓扑界面状态的拓扑顺序和出现
CSIC ICMM E-28049 Madrid Spain;
CSIC ICMM E-28049 Madrid Spain;
机译:拓扑绝缘体中的应变效应:SB2TE3 / BI2TE3异质结中可切换拓扑界面状态的拓扑顺序和出现
机译:在GaAs(111)衬底上Bi2Te3和Sb2Te3拓扑绝缘体的分子束外延生长:制造拓扑绝缘体p-n结的潜在途径
机译:分子束外延生长的超薄拓扑绝缘体Sb2Te3 / Bi2Te3异质结构中的P-N结。
机译:拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te3的结构,弹性和电子特性
机译:结构和电子无序对拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜的影响
机译:衬底和表面等离激元对拓扑绝缘体Bi2Te3的衬底界面处对称破坏的影响
机译:拓扑绝缘子中的应变效应:拓扑秩序和 可切换拓扑界面态的出现 sb $ _2 $ Te $ _3 $ / Bi $ _2 $ Te $ _3 $ Heterojunctions