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马静; 雷玉玺; 王园; 周剑平;
陕西师范大学物理学与信息技术学院;
拓扑绝缘体; 电子结构; 金属表面态; 第一性原理;
机译:本征拓扑绝缘体Bi _2Te _2Se薄膜的稳健表面状态:第一性原理研究
机译:拓扑绝缘体Sb2Te3在压力下的相变,弹性和电子性质:第一个原理研究
机译:压力下拓扑绝缘子Sb2Te3的结构,弹性,电子和热力学性质的第一性原理研究
机译:飞秒光激发从拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜获得的依赖于螺旋度的太赫兹辐射
机译:结构和电子无序对拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜的影响
机译:拓扑绝缘体Bi2Te2Se中的电注入和自旋极化电流的检测
机译:拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2se3表面态的第一性原理研究:薄膜厚度依赖性
机译:钒掺杂三维拓扑绝缘子sb2Te3中远程铁磁有序Van Vleck性质的实验验证。
机译:制造电子结构的方法,包括通过平坦化和相应的电子结构降低焊盘拓扑差异
机译:通过平面化和对应的电子结构制造包含减少焊点拓扑差异的电子结构的方法
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