MBE生长的Bi2Te3拓扑绝缘体光电导探测器

摘要

近年来,拓扑绝缘体作为一种新型的量子材料体系,受到越来越多的关注.拓扑绝缘体,如Bi2Te3、Bi2Se3等因其具有时间反演对称所保护的、非平凡的、自旋与动量耦合的表面态,而具备许多其他材料不具备的特殊性质.理论研究证明,拓扑绝缘体的狄拉克锥形的表面态可以具有很强的光吸收,并且表面吸收取决于精细结构常数,与入射光子能量无关.本工作报告了GaN衬底上分子束外延生长的高性能Bi2Te3光电导探测器。室温下，测试了不同厚度的GaN基Bi2Te3器件在1550 nm 的光电响应，计算了其响应率,比脉冲激光沉积生长的探测器高1-2 个量级4。