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机译:紧张单层MOS2中的谷漂移和谷电流调制
Inst Nano Sci &
Technol Phase 10 Sect 64 Mohali 160062 Punjab India;
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机译:紧张单层MOS2中的谷漂移和谷电流调制
机译:单轴应变单层MOS2中的巨谷漂移
机译:掺杂剂在掺杂单层MoS2中引入了谷底极化,自旋和谷底霍尔电导率
机译:基于INP的应变在{sub} 0.8ga} 0.2as / alas共振INP的{sub} 0.8ga {sub} 0.2as / alas谐振隧道二极管中具有高峰电流密度和大峰 - 由金属 - 有机气相外延生长的谷电流比
机译:加利福尼亚大山谷地层和结构研究及其对板块构造的影响:第一卷。与俯冲有关的大谷中部前盆地的变形。第二卷。西南圣华金河谷残留的大谷前盆地的新近纪缩短。
机译:夹在等离子体天线中的单层MoS2的转向谷极化发射
机译:单轴应变单层MoS2中的巨谷漂移