机译:增强的临界电流密度(J(c))和高欧盟水平掺杂裸块(Bi,Pb)-2223棒的偏心孔(Bi,Pb)-2223棒用于低温应用
Natl Phys Lab CSIR Dr KS Krishnan Marg New Delhi 110012 India;
Natl Phys Lab CSIR Dr KS Krishnan Marg New Delhi 110012 India;
Bhabha Atom Res Ctr UGC DAE Consortium Sci Res Mumbai 400085 Maharashtra India;
Natl Phys Lab CSIR Dr KS Krishnan Marg New Delhi 110012 India;
Bi-based superconductor; (Bi; Pb)-2223; Eu doping; Bare bulk superconducting rods; Critical current density; Fractural strength;
机译:增强的临界电流密度(J(c))和高欧盟水平掺杂裸块(Bi,Pb)-2223棒的偏心孔(Bi,Pb)-2223棒用于低温应用
机译:Bi(Pb)-2223 / Ag胶带中Bi(Pb)-2223相的反应动力学与临界电流密度之间的相关性
机译:退化的老化裸块(Bi,Pb)-2223管的回收过程-(Bi,Pb)-2223相的复兴和超导性能
机译:处理有关Bi(Pb)-2223 / Ag复丝带的临界电流密度提高的相关问题
机译:推进材料加工,消除限流机制并提高银鞘Bi-2223复合导体的临界电流密度。
机译:Bi2212圆形和Bi2223圆形扁线的生长织构比较及其与高临界电流密度发展的关系
机译:增强Bi-2223 HTs体积的临界电流密度,用于电流引线应用
机译:增强(Bi,pb)(sub 2)sr(sub 2)Ca(sub 2)Cu(sub 3)O(sub y)(Bi-2223)超导带中的临界电流。