机译:Mg-intertitial掺杂和Mg替代的电子结构和光学性质的比较研究掺杂Al0.25Ga0.75N
China Jiliang Univ Inst Optoelect Technol Hangzhou 310018 Zhejiang Peoples R China;
China Jiliang Univ Inst Optoelect Technol Hangzhou 310018 Zhejiang Peoples R China;
China Jiliang Univ Inst Optoelect Technol Hangzhou 310018 Zhejiang Peoples R China;
China Jiliang Univ Inst Optoelect Technol Hangzhou 310018 Zhejiang Peoples R China;
Nanjing Univ Sci &
Technol Inst Elect Engn &
Optoelect Technol Nanjing 210094 Jiangsu Peoples R China;
First-principles; Interstitial doping; Substitution doping; Electronic structures; Optical properties;
机译:Mg-intertitial掺杂和Mg替代的电子结构和光学性质的比较研究掺杂Al0.25Ga0.75N
机译:DFT研究N掺杂,S掺杂和N / S共掺杂SrTiO_3的电子结构和光学性质
机译:阴离子(N,S)单掺杂和共掺杂对InNbO4电子结构和光学性能的影响
机译:La-Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:掺杂对碘化铯电子结构和光学性质的影响。
机译:碱土金属掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构和光学性质:筛选的混合功能和广义梯度近似的比较研究
机译:碱土金属掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构和光学性质:屏蔽混合功能和广义梯度近似的比较研究
机译:Gaas中si掺杂的n掺杂 - 本征-p-掺杂 - 本征(nipi)结构的电子特性。