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刘纪博; 庞国旺; 马磊; 刘丽芝; 王晓东; 史蕾倩; 潘多桥; 刘晨曦; 张丽丽; 雷博程; 赵旭才; 黄以能;
伊犁师范大学物理科学与技术学院;
新疆凝聚态相变与微结构实验室;
伊宁835000;
南京大学物理学院;
固体微结构物理国家重点实验室;
南京210093;
第一性原理; 哈伯德U修正; GaN; 掺杂; 电子结构; 光学性质; 半导体;
机译:对光电应用C和TI CO和TI掺杂锌孔GaN的电子结构,磁性和光学性能的研究
机译:未掺杂和掺杂La的BiFe0.75Mn0.125Ti0.125O3的结构,磁性,电子和光学性质的基本原理研究
机译:Al-掺杂GaN的电子结构和光学性质研究
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:洞察钇掺杂的影响电子结构上BaTiO3的Ba和Ti位和光学性质:第一性原理研究
机译:在电子结构和光学性质的BATIO3 BA和TI位点对Yttrium掺杂的影响:第一原理研究
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译:掺杂氮化镓(GaN)基体的方法及最终掺杂的GaN基体
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