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机译:基于GaN / IngaN的多量子阱发光二极管效率下垂的效率下垂通过不同的Si掺杂和厚度在阻挡层中
Birla Inst Technol &
Sci Dept Elect &
Elect Engn KK Birla Goa Campus Pilani 403726 Goa India;
Birla Inst Technol &
Sci Dept Elect &
Elect Engn Pilani 333031 Rajasthan India;
CSIR CEERI Flexible &
Nonsilicon Elect Grp Pliant 333031 Rajasthan India;
CSIR CEERI Optoelect &
MOEMS Grp Pilani 333031 Rajasthan India;
Barrier doping; InGaN/GaN; Internal quantum efficiency (IQE); Light emitting diodes (LEDs); Multiple quantum well (MQW);
机译:基于GaN / IngaN的多量子阱发光二极管效率下垂的效率下垂通过不同的Si掺杂和厚度在阻挡层中
机译:V缺陷对势垒层厚度变化的InGaN / GaN多量子阱发光二极管性能下降的影响
机译:在梯形量子屏障中减轻IngaN / GaN多量子孔发光二极管效率下垂的效率下垂
机译:梯度厚度多量子阱可降低InGaN / GaN发光二极管的效率下降
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:V缺陷对势垒层厚度变化的InGaN_GaN多量子阱发光二极管性能下降的影响