机译:三元硒化物A(2)SB(4)SE(8)(a = k,Rb和Cs)作为具有高功率因数和低晶格导热率的N型热电材料:构象灵活的SB-SE-SE的重要性 -SB桥梁
Pohang Univ Sci &
Technol Dept Chem Pohang 37673 South Korea;
Pohang Univ Sci &
Technol Div Adv Nucl Engn Pohang 37673 South Korea;
Samsung Elect SAIT 130 Samsung Ro Suwon 16678 South Korea;
Pohang Univ Sci &
Technol Dept Chem Pohang 37673 South Korea;
North Carolina State Univ Dept Chem Raleigh NC 27695 USA;
机译:三元硒化物A(2)SB(4)SE(8)(a = k,Rb和Cs)作为具有高功率因数和低晶格导热率的N型热电材料:构象灵活的SB-SE-SE的重要性 -SB桥梁
机译:三元硒化物A2SB4Se8(A = K,RB和CS)作为具有高功率因数和低晶格导热率的N型热电材料:构象柔性SB-SE-SB桥的重要性
机译:Pd2se3单层:具有超级晶格导热率和高功率因数的有前途的二维热电材料
机译:Bi / sub 2 / Te / sub 3 // Sb / sub 2 / Te / sub 3 /超晶格薄膜中高功率因数和低导热系数的实验证据
机译:硅锗的热电性能:对晶格导热系数降低的调查和功率因数增强
机译:通过降低晶格热导率开发新型热电材料
机译:三元硒化物A2SB4Se8(A = K,RB和CS)作为具有高功率因数和低晶格导热率的N型热电材料:构象柔性SB-SE-SB桥的重要性