...
机译:通过使用二氧化硅掩模制备的图案化的蓝宝石衬底的变速和自清洁
Harbin Inst Technol Shenzhen Grad Sch Shenzhen Key Lab Adv Mat Shenzhen 518055 Peoples R China;
Harbin Inst Technol Shenzhen Grad Sch Shenzhen Key Lab Adv Mat Shenzhen 518055 Peoples R China;
Harbin Inst Technol Shenzhen Grad Sch Shenzhen Key Lab Adv Mat Shenzhen 518055 Peoples R China;
Harbin Inst Technol Shenzhen Grad Sch Shenzhen Key Lab Adv Mat Shenzhen 518055 Peoples R China;
机译:通过使用二氧化硅掩模制备的图案化的蓝宝石衬底的变速和自清洁
机译:侧壁上有KOH湿法刻蚀的图案化蓝宝石衬底可进一步提高InGaN基发光二极管的光输出功率
机译:V型坑粗糙表面化学湿法刻蚀蓝宝石衬底上生长的GaN基发光二极管的研究
机译:通过化学湿法蚀刻图案 - 蓝宝石 - 衬底(CWE-PSS)同时增强GaN基发光二极管的内部和提取效率
机译:用于纳米光刻掩模的二氧化硅的化学增强气相蚀刻
机译:通过无掩模化学刻蚀制备的涂有银纳米颗粒的蓝宝石图案衬底上的GaN基发光二极管的性能
机译:通过无掩模化学刻蚀制备的涂有银纳米颗粒的蓝宝石图案衬底上的GaN基发光二极管的性能