机译:原位钝化GaASP纳米线
Univ Paris Saclay Univ Paris Sud CNRS UMR 9001 Ctr Nanosci &
Nanotechnol Site Orsay Bat 220 Rue Andre Ampere F-91405 Orsay France;
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Nanotechnol Site Marcous Route Nozay F-91460 Marcoussis France;
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nanowire; molecular beam epitaxy (MBE); photoluminescence; GaAsP/Ga(As)P; in situ passivation;
机译:原位钝化GaASP纳米线
机译:以增强红外光响应的Gaassb纳米线的原位钝化(Vol 31,24002,2020)
机译:为了增强红外光响应的Gaassb纳米线的原位钝化
机译:原位氯钝化可抑制硅纳米线器件中的表面主导传输
机译:纳米线中的钝化缺陷和用于传感应用的纳米线设备的演示。
机译:硫属元素钝化:一种控制GaAs纳米线的形态和电学性质的原位方法
机译:通过硅纳米线的原位表面钝化显着减少表面复合