机译:通过延迟脉冲偏置应力期间通过介电恢复效应减少多Si和SiO2层之间的界面陷阱
SKhynix Inc NAND Product Engn Grp Icheon 17336 South Korea;
Hanyang Univ Dept Phys Seoul 04763 South Korea;
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SKhynix Inc NAND Product Engn Grp Icheon 17336 South Korea;
SKhynix Inc Res &
Dev Div Proc &
Technol Grp Icheon 17336 South Korea;
Hanyang Univ Dept Phys Seoul 04763 South Korea;
dielectric; memory device; trap; defect; NAND;
机译:通过延迟脉冲偏置应力期间通过介电恢复效应减少多Si和SiO2层之间的界面陷阱
机译:在静态正栅极偏置应力下的单极脉冲漏极偏置下,非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管中电荷陷阱的增加和电子俘获效应的抑制引起的严重驼峰现象
机译:在负偏压温度不稳定性应力作用下,掺入氮和硅的HfO_2栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管产生体和界面陷阱
机译:具有交联PVA栅极电介质的有机薄膜晶体管的偏置应力效应及其使用SiO2阻挡层的还原方法
机译:多晶硅和SiO2薄膜的非Prestonian RRs和残余应力对各种类型的SiO2和Si 3N4薄膜的RRs的影响。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:钨酶促:通过脉冲激光沉积(ADV。母体,在SiO2 / Si衬底上生长厘米级单层和几层WSE2薄膜(母版。界面20/2018)