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机译:通过选择区域金属 - 有机化学气相沉积的Si基材的无缺陷Inassb纳米线阵列
Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China;
Natl Ctr Nanosci &
Technol CAS Ctr Excellence Nanosci CAS Key Lab Standardizat &
Measurement Nanotechno Beijing 100190 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China;
nanowire; InAsSb; MOCVD; defect-free; catalyst-free; selective-area; FET;
机译:通过选择区域金属 - 有机化学气相沉积的Si基材的无缺陷Inassb纳米线阵列
机译:通过金属有机化学气相沉积法在硅衬底上生长的InAs / GaSb核壳纳米线
机译:通过金属有机化学气相沉积法在Si衬底上生长的取向良好的ZnO纳米线
机译:金属 - 有机化学气相沉积在Gasb上生长的INASSB薄膜的性质
机译:通过固体源金属有机化学气相沉积法生长的外延氧化物薄膜。
机译:金属有机化学气相沉积法在Ni(111)上高质量地生长六方氮化硼的晶片规模和选择性区域
机译:通过金属有机化学气相沉积法在硅衬底上生长的InAs / GaSb核壳纳米线