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机译:在退化掺杂附近的金属和半导体纳米线之间的接触中的温度效应
Univ Cincinnati Dept Phys Cincinnati OH 45221 USA;
Australian Natl Univ Res Sch Phys &
Engn Dept Elect Mat Engn Canberra ACT 2601 Australia;
Australian Natl Univ Res Sch Phys &
Engn Dept Elect Mat Engn Canberra ACT 2601 Australia;
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Univ Cincinnati Dept Phys Cincinnati OH 45221 USA;
GaAs; nanowire; metal-semiconductor interface; degenerate semiconductors; Coulomb screening; depletion; dielectric confinement;
机译:在退化掺杂附近的金属和半导体纳米线之间的接触中的温度效应
机译:末端键合金属触点对薄重掺杂半导体纳米线的接触电阻率的掺杂依赖性
机译:空间电荷和电流的不均匀性,以及末端键合金属触点与细重掺杂半导体纳米线的接触电阻率
机译:金属 - 硅纳米线接触对积累金属氧化物半导体场效应晶体管性能的影响
机译:金属,调制掺杂的量子阱和掺杂的半导体中的多体效应。
机译:退火温度和环境温度对金属/ PtSe2接触合金形成的影响
机译:退化掺杂的过渡金属二均致原样为欧姆同源结触点到过渡金属二硫代甲基半导体
机译:通过测量射频驱动下的发光,检测温度对Gaas mEsFET(金属 - 半导体场效应晶体管)中栅极 - 漏极击穿击穿的影响