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机译:用于说明GaN纳米线的力学行为的杨氏模量不足
Univ New Mexico Mech Engn Dept Elect &
Comp Engn Dept Ctr High Technol Mat Albuquerque NM 87131 USA;
Univ New Mexico Phys &
Astron Dept Ctr High Technol Mat Albuquerque NM 87131 USA;
Univ New Mexico Elect &
Comp Engn Dept Ctr Hight Technol Mat Albuquerque NM 87131 USA;
Univ New Mexico Elect &
Comp Engn Dept Ctr Hight Technol Mat Albuquerque NM 87131 USA;
non-classical mechanical properties; size dependency; static and dynamic length scales; experiment and atomic simulation;
机译:用于说明GaN纳米线的力学行为的杨氏模量不足
机译:GaN纳米线的弹性特性:在纳米尺度上揭示平面缺陷对杨氏模量的影响
机译:边界条件对银纳米线纳米机械弯曲行为和弹性模量测定的重要性
机译:机电耦合对氧化锌纳米线的杨氏模量的影响
机译:在纳米桥测试中测量的对纳米线的杨氏模量的内在和外在影响
机译:GaN纳米晶体的带隙介电常数杨氏模量和熔化温度之间的相关性及其尺寸和形状依赖性
机译:测量方法对杨氏模量的影响与孢子杆杨氏模量与力学性能的影响。