JSR、15nmパターン対応の化学増幅型EUV用レジスト開発

摘要

JSRは米国の半導体製造技術研究組合であるSEMATECH（セマテック）と共同で、世界で初めて15nm（nm＝ナノメートル）ハーフピッチの解像が可能なEUV（遠紫外線）用化学増幅型フォトレジスト（感光性樹脂）を開発した。現在一般的に使われている化学増幅型フォトレジストは、感度は優れるものの、露光によって発生する酸の拡散により解像度低下が起こるため、解像度においては同社が2011年3月に開発した19nmハーフピッチが最も微細なパターンだった。