化学増幅型EUV レジストのパターン形成の確率論的シミュレーション

机译：化学扩增EUV抗蚀剂图案化的概率模拟

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化学増幅型レジストによる微細パターン形成では，レジスト構成分子や触媒である酸の挙動が解像性に与える影響の解析が必須である．本研究では確率論的モデルによるシミュレーション手法を用いて，化学増幅型EUV レジストのパターン形成過程を解析した結果を報告する．

机译：在具有化学扩增的抗蚀剂，酸性成分和催化剂的酸性的细纹形成分析决议行为的影响至关重要。在这项研究中，通过概率模型进行仿真使用该方法方法，我们报告了分析化学扩增的EUV抗蚀剂的图案形成过程的结果。

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来源
《応用物理学会学術講演会;応用物理学会》|2020年|05.044-05.044|共1页
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作者
香山真範; 白井正充; 川田博昭; 平井義彦; 安田雅昭;
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