...
机译:勘误表:存储器阵列中STT-MRAM单元操作的基本原理
机译:勘误表:存储器阵列中STT-MRAM单元操作的基本原理(Journal of Physics D:Applied Physics(2013)46(074001))(勘误表)
机译:具有新型平均参考电压发生器的40nm 1T-1MTJ 128 MB STT-MRAM,基于缩小存储单元阵列设计的详细分析
机译:主流NOR闪存阵列中基于峰值定时可塑性的无监督学习—第一部分:单元操作
机译:有源矩阵阵列寻址驱动新型电子纸显示器浮动金属球致动器模式的基本操作原理
机译:改进相变存储器(PCM)和自旋扭矩传递磁性RAM(STT-MRAM)作为下一代存储器:电路角度。
机译:生物电势极阵列:操作原理和模拟
机译:知识管理的基本原理及其在工业公司的维护和运营开发战术运营中的应用:定性研究知识管理的基本原理及其在工业公司的维护和运营开发战术运营中的应用:定性研究管理知识及其在工业公司维护和运营开发战术活动中的应用:定性研究