机译:通过修正的Becke-Johnson势加上现场库仑U预测的铜基半导体的近边缘带结构和带隙
Near-edge; Coulomb U; Diamond-like;
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机译:来自当地改性的BECKE-JOHNSON潜力的二维材料的精确电子带隙
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机译:半导体中强的结构带隙关系:计算带隙预测的影响
机译:窄带隙半导体和伪间隙系统的电子结构和热电性能。
机译:使用价带反交叉模型计算的InAs1-xBix和InSb1-xBix合金半导体的价带结构
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机译:具有退化价带的直带隙立方半导体中激子的精细结构和能谱。