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熊德平; 任晓敏; 王琦; 舒伟; 周静; 吕吉贺; 黄辉; 黄永清;
北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室;
北京邮电大学继续教育学院;
含B化合物; 带隙弯曲参数; 带隙; 广义梯度近似;
机译:带隙能受控的高序介孔Cd_xZri_(1-x)Se三元化合物半导体
机译:带隙能受控的3D有序介孔Cd_xZn_(1-x)S三元化合物半导体
机译:带隙可调三元半导体硅化物Ba_(1-x)Sr_xSi_2的分子束外延技术
机译:一种新的方法,以通过ANFIS理论预测GA_XIN_(1-x)AS_YP_(1-Y)化合物中的能量带隙
机译:激光脉冲激发下三元半导体镓(X)-铟(1-X)磷和砷化镓(1-X)-磷(X)的时间分辨光谱。
机译:基于甲基纤维素(1-x):( CuS)x(0.02 M≤x≤0.08 M)的具有所需光学带隙的聚合物纳米复合材料的合成
机译:高极化后密度泛函理论研究 半导体pb(Ti $ _ {1-x} $ Ni $ _ {x} $)O $ _ {3-x} $固体解决方案:效果 带隙上的阳离子排列
机译:在si(0(le)x(le)上生长的si(sub 1-x)C(sub x)和si(sub 1-x)Ge(sub x)C(sub y)半导体合金的介电函数和带隙0.014)
机译:半导体器件包含Pb x Sub> Sr (1-x) Sub> [Zr,Ti] x Sub> Ru (1-x)电容器中的Sub> O 3 Sub>膜
机译:具有pH值的CMP组成的含锗元素和/或Si 1-X Sub> Ge X Sub>材料的化学机械抛光的半导体器件的制造工艺值3.0至5.5
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