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机译:Si / SiO2中P-b型界面缺陷的频率依赖性电子自旋共振研究-艺术。没有。 165320
(111)si/sio2 interface; Structural relaxation; Si-sio2 interface; Silicon-dioxide; Viscous-flow; Oxidation; Sio2; (100)si/sio2; Centers; Temperature;
机译:Si / SiO2中P-b型界面缺陷的频率依赖性电子自旋共振研究-艺术。没有。 165320
机译:电子自旋共振在(111)SI / SIO2中热诱导的界面降解
机译:电子自旋共振研究(111)Si热氧化过程中施加的应力对固有P_b界面缺陷的影响
机译:通过频率依赖性电子自旋共振分析热Si / SiO_2中的界面应变
机译:通过电子自旋共振,电子核双共振和光吸收研究铌酸锂中的点缺陷。
机译:室温下电子辐照在金属氧化物/ Si界面上形成无定形SiO2;在界面上写入电子束
机译:电子自旋共振热缩合生长(100)Ge0.75Si0.25 / SiO2界面的比较分析
机译:高级石墨材料的研究与开发第XVI卷 - 有机化合物热分解反应的电子自旋共振研究技术文献报告编号,WaDD TR 61-72,VOL。十六