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傅济时; 吴恩; 秦国刚; 朱美栋; 郁元桓;
北京大学物理系;
北京大学无线电系;
中国科学院半导体研究所;
蓝宝石; 硅膜; 界面; 缺陷; 检测; 共振;
机译:将硅和氧离子注入到蓝宝石衬底上的异质外延硅层中对CMOS IC SOS技术的n沟道晶体管泄漏电流的影响
机译:通过将硅离子注入到氧化铝的蓝宝石和非晶膜中形成的Al_2O_3:ne-Si纳米结构的性质
机译:通过氰化物处理钝化Si和Si / SiO_2界面态中的缺陷态:改善了针结非晶硅和晶体硅基金属氧化物半导体结太阳能电池的特性
机译:电子自旋共振在(100)SI上检测超薄氧化ST的叠层中的点缺陷和陷阱:界面和N结合
机译:蓝宝石上硅(SOS)上的硅锗互补金属氧化物半导体场效应晶体管的设计,表征和轮廓优化。
机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:电子注入和自旋极化电子的检测 硅通过Fe_3si / si肖特基隧道势垒
机译:JFET / sOs(结型场效应晶体管/硅蓝宝石)器件:γ辐射诱导效应
机译:基于先进的绝缘体上硅(SOI),蓝宝石上硅(SOS)和无硅上空(SON)技术的面积有效且可扩展的CMOS性能方法
机译:基于先进的绝缘体上硅(SOI),蓝宝石上硅(SOS)和无硅上空(SON)技术的高效,可扩展CMOS性能的方法
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