机译:极紫外光刻中使用的中性和低离子级Sn在13.5 nm波长下的不透明度
LASER-PRODUCED PLASMAS; X-RAY-EMISSION; CONVERSION EFFICIENCY; 4D PHOTOABSORPTION; ABSORPTION-SPECTRA; PHOTOIONIZATION; XENON; TIN; COLLAPSE; SNIII;
机译:极紫外光刻中使用的中性和低离子级Sn在13.5 nm波长下的不透明度
机译:Mo / B_(4)C / Si多层涂层光电二极管,在13.5 nm的极紫外波长下具有偏振敏感性
机译:波长为13.5 nm的EUV光刻透镜的非球面镜认证原则
机译:EUV抗蚀剂的可扩展性,适用于下一代光刻的曝光波长范围从13.5到3.1 nm
机译:强烈的毛细管放电等离子体极紫外光源,用于极紫外光刻和其他极紫外成像应用。
机译:极紫外光刻光源的激光产生的锡等离子体的电子密度和温度的时间分辨二维分布
机译:对于极端紫外线光刻的负色调化学放大的分子抗蚀剂平台朝向11nm半间距分辨率
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。