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Multiphonon hopping of carriers in CuO thin films

机译:CuO薄膜中载流子的多声子跳跃

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摘要

We have performed a detailed study of the electrical conduction process in CuO thin films deposited by the solgel dip coating technique in a temperature range 280420 K. The electrical conduction is analyzed within the framework of various hopping conduction models. Multiphonon hopping conduction mechanism is found to dominate the electrical transport in the entire temperature region. Our results are consistent with this model of hopping conduction mechanisms with weak carrierlattice coupling.
机译:我们已经对通过溶胶凝胶浸涂技术在280420 K温度范围内沉积的CuO薄膜中的导电过程进行了详细的研究。在各种跳跃传导模型的框架内对导电进行了分析。发现在整个温度区域中,多声子跳跃传导机制占主导地位。我们的结果与这种具有弱载体-晶格耦合的跳跃传导机制模型是一致的。

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