机译:Laplace DLTS研究了氧化物-半导体界面的能态分布
Si/SiO_2 interface; Pb centres; Dangling bond; Laplace DLTS;
机译:Laplace DLTS研究了氧化物-半导体界面的能态分布
机译:拉普拉斯深能级瞬态光谱法研究(100),(110)和(111)Si / SiO_2界面上P_b中心的能态分布
机译:用声谱研究氧化物非常薄的金属氧化物半导体结构中的界面态分布
机译:Laplace DLTS研究氧化物-半导体界面的能态分布
机译:天然氧化物/ III-V族半导体界面的界面复合速度研究
机译:状态的有机半导体密度控制电极界面的能级对齐
机译:拉普拉斯深层瞬态光谱法研究P(b)中心(100),(110)和(111)Si / SiO(2)界面的能态分布