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机译:带有AO调制器和Cr〜(4 +):YAG可饱和吸收体的双Q开关GdVO_(4)/ Nd:GdVO_(4)激光器在直接879 nm二极管泵浦到发射能级下
Double Q-switching; GdVO_(4)/Nd:GdVO_(4); 879 nm; Thermal lens effect;
机译:带有AO调制器和Cr〜(4 +):YAG可饱和吸收体的双Q开关GdVO_(4)/ Nd:GdVO_(4)激光器在直接879 nm二极管泵浦到发射能级下
机译:被动调Q开关GdVO_4 / Nd:GdVO_4激光器,具有Cr〜(4 +):YAG饱和吸收体,在直接879 nm二极管泵浦到发射能级下
机译:二极管泵浦的无源Q开关Nd:GdVO_(4)激光器,波长为1342 nm,具有V:YAG饱和吸收器
机译:被动Q切换二极管泵浦CR〜(4 +):YAG / ND〜(3 +):GDVO_(4)高重复率单片微芯片激光器
机译:外延战略的发展,以发展用于无源锁模光泵浦垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)的新型半导体可饱和吸收镜(SESAM)
机译:半导体饱和吸收镜的瓦特级被动调Q重掺Er3 +的ZBLAN光纤激光器
机译:使用Cr:YAG和KTP晶体的二极管泵浦高峰值功率准Q开关和无源Q开关Nd:YVO 4 sub>激光器在1064 nm和532 nm