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【24h】

Passively Q-switched diode-pumped Cr~(4+):YAG/Nd~(3+):GdVO_(4) high repetition rate monolithic microchip laser

机译:被动Q切换二极管泵浦CR〜(4 +):YAG / ND〜(3 +):GDVO_(4)高重复率单片微芯片激光器

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摘要

we report on the first passively-Q-switched diode-pumped Nd:GdVO_(4)/Cr:YAG microchip laser. The average power is 400 mW and the pulse length is 1.1 ns at a repetition rate as high as 85 kHz.
机译:我们在第一个被动-q开关二极管泵浦Nd:GDVO_(4)/ CR:YAG Microchip激光器上报告。平均功率为400 MW,脉冲长度为1.1 ns,重复率高达85 kHz。

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