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机译:金属有机化学气相沉积制备的InxGa1-xAs外延层的变质缓冲结构和器件性能的控制
InGaAs; strain relaxation; step-graded buffer; MOSCAP; interface trap;
机译:金属有机化学气相沉积制备的InxGa1-xAs外延层的变质缓冲结构和器件性能的控制
机译:金属有机化学气相沉积对金属(Al)GaInP缓冲液上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As层质量的影响
机译:使用金属有机化学气相沉积法在SiC衬底上生长有导电AlxGa1-xN缓冲层的GaN外延层
机译:通过金属化学气相沉积在外延横向过度生长模板上生长的GaN层中的深部中心
机译:通过金属有机化学气相沉积外延生长碳化硅和氮化铝的层状结构。
机译:通过金属有机化学气相沉积合成的具有n-GaN纳米棒-石墨烯杂化结构的紫外光电导器件
机译:使用金属有机气相沉积/原子层沉积混合系统原位制造的包含al2O3栅极氧化物和alN钝化层的Gaas金属氧化物半导体结构的电特性