Kansas State University.;
机译:氮化铝-碳化硅合金过渡层在碳化硅衬底上对氮化铝的升华生长
机译:使用水平热壁化学气相沉积法在直径为150毫米的晶片上生长碳化硅外延层
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的(111)Si上的GaN膜中的生长应力和裂纹。 Ⅰ。 AIN缓冲层
机译:氮化铝 - 碳化硅合金缓冲层对SiC(0001)基材氮化铝升华生长的影响
机译:通过低温化学气相沉积在硅上选择性外延生长碳化硅。
机译:金属有机化学气相沉积法在Ni(111)上高质量地生长六方氮化硼的晶片规模和选择性区域
机译:使用甲基三氯硅烷化学气相沉积在轴上碳化硅衬底上外延生长碳化硅
机译:金属有机化学气相沉积法制备氮化铝和碳化硅固溶体。