机译:具有二极管特性的隧穿电阻效应用于交叉点存储
ferroelectrics; tunneling electroresistance effect; diode memristor; resistive RAM; cross-point memory;
机译:具有二极管特性的隧穿电阻效应用于交叉点存储
机译:使用GaN / AIN谐振隧穿二极管的非易失性存储器的开关特性
机译:利用GaN / AlN共振隧穿二极管的电流-电压特性中的双稳态进行电阻切换存储操作
机译:HFO_2和HFON隧道层的基于HF的MONOS二极管的非易失性存储器特性的比较
机译:多峰谐振隧穿二极管(RTD)器件和基于RTD的多值存储器的建模和仿真。
机译:Al2O3膜的尺寸和厚度对Cu柱的影响以及3D交叉点存储应用的电阻开关特性
机译:金属/铁电/半导体隧道中的巨大电阻 用于电阻开关存储器的二极管