Фотоэлектрические структуры на основе нанопористого p-InP

摘要

Подтверждена возможность наноструктурирования поверхностей фосфида индия дырочной проводимости. Разработана методика изготовления иисследования гетероструктур SnO{sub}2/InP с нанопористой поверхностью границы раздела. Показано, что исследованная структура может служить базой для разработки фотоэлектрических устройств с повышенной активной поверхностью.