MEMSダイナミック光再構成型ゲートアレイの不良耐性

摘要

近年，LSIの回路資源を最大限活用し，処理能力を極限にまで高めることのできる動的再構成デバイスに注目が集まっている．我々はその中でも，レーザー，ホログラムメモリ，フォトダイオードを持つゲートアレイVLSIを組み合わせた光再構成型ゲートアレイを開発している．このデバイスでは，ホログラムメモリの大容量性と，光による大規模インターコネクションを活用し，大量の回路情報を高速かつ動的にゲートアレイVLSIにダウンロードすることが可能である．これにより，既存のLSIアーキテクチュアでは実現不可能なゲート規模のVLSIを仮想的に実現できる．また近年，MEMS技術が急激に発展しており，その中でも我々はホログラムデバイスとしてデジタルミラーザバイス（DMD）に注目している．DMDは光のエネルギー効率に優れ，また応答速度にも優れるため，従来不可能であったホログラムメモリの動的運用も期待できる．本稿では，DMDをホログラムデバイスとして用いたダイナミック光再構成型ゲートトアレイのDMDの不良耐健について評価した結果について示す．