界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜／Ge構造の形成と電気的評価－Ge基板への絶縁膜形成

摘要

高移動度Geチャネルの実現を目指し、Geに対して良好な界面·絶縁特性を有するMIS構造を探索している。我々は、high-k/Geの界面に界面層（IL）を意図的に作り込み、MIS構造の特性向上を図ろうとしている。今回、ILとしてHfGeNおよびGeO_2を用いたhigh-k/IL/Ge構造を試作し、キャパシタ特性を評価した。その結果を報告する。