InP系バリスティックトランジスタ

摘要

電子の散乱を最小限にしたトランジスタ構造として提案しているInP系バリスティックトランジスタについて報告する。モンテカルロシミュレーションからキャリヤの平均速度として8×10^7cm/sと従来素子の二倍以上の速度が、2MA/cm^2以下というHBTによって達成されている電流密度で1.4THzという遮断周波数が予測できることを示した。 実験的には、電子ビーム露光により作製したエミッタ幅25nmのショットキーゲート型素子において、電流利得、電圧利得ともに示せる一般的なトランジスタの特性を持つことを示した。 さらに、性能の向上を目指した絶縁ゲート型素子においても、ゲートが絶縁された状態でホットエレクトロントランジスタ構造の電流制御が行えることを示した。