Dual-core－SiON技術を活用したhp65－SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜

摘要

窒化シリコン膜を形成後に酸素を導入するプロセス順序を用いることによって，酸素リッチ界面層を有する高窒素浪度SiONゲート絶縁膜ができることが近年示されており[1-3]，我々はこれをOI－SiN（SiN with oxygen－enriched interface）と呼んでいる（図1）.しかし，その高い窒素浪度ゆえに．NBTI倍額性を確保する努力がこの技術に必要である[4].本報告では，従来のプラズマ窒化SiONを凌駕するnMOS性能と．匹敵するpMOSのNBTI信頼性を同時に根供するソリューションを報告する．この成果軋（1）OI-SiNのプ占セス最適化と（2）PMOSのゲート絶縁膜を選択的に増膜させるdual-core-SiON技術によっ七達成される．