ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構

摘要

抵抗変化型メモリ（ReRAM：resistiverandomaccessmemory)は電極/移金属酸化物／電極の単純な素子構造を持つため，高集積化への適性が高く，Flashに替わる次世代不揮発性メモリとして注目されている。酸化物層にぺロブス力イ卜酸化物を用いたReRAMは酸素イオンの電界拡散に伴う酸化物の酸化還元反応により抵抗スイッチング効果が生じると考えられている。近年，酸素イオン拡散と同様に，水素イオンの電界拡散を通じて酸化還元反応を引き起こすことによっても抵抗スイッチングを生じることが明らかになった4）。